STD2N80K5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松应对800V高压环境，同时将导通损耗降至极致的功率器件，将如何彻底改变您的产品性能与市场竞争力？这正是STD2N80K5为您带来的核心价值。作为ST意法半导体SuperMESH5家族的杰出代表，它不仅仅是一个MOSFET，更是您实现高效、可靠电源设计的得力引擎。

这颗芯片的强大，首先体现在其卓越的电气性能上。高达800V的漏源电压（Vdss）意味着它能在严苛的高压环境下稳如磐石，为您的反激式开关电源、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器提供坚实的保护屏障。而其低至4.5欧姆的导通电阻（Rds(on)），配合仅为3nC的超低栅极电荷（Qg），共同构成了高效开关的“黄金组合”。这意味着在每一次开关动作中，导通损耗和开关损耗都被大幅削减，电能得以更顺畅地转换，最终转化为更低的温升、更高的系统效率以及更长的产品寿命。无论是工业电源、适配器，还是LED驱动和家用电器，STD2N80K5都能无缝融入，成为提升整机效率的关键一环。

选择STD2N80K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与持续创新的保障。ST意法半导体的SuperMESH5技术，经过市场长期验证，以其出色的可靠性和一致性著称。这颗芯片采用坚固的DPAK封装，表面贴装设计便于自动化生产，能有效帮助您优化PCB布局，缩小产品体积。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作。当您需要这样一颗高性能、高可靠性的芯片时，可以信赖专业的ST代理合作伙伴，他们不仅能提供正品保障和稳定的供货，更能为您带来专业的技术支持与选型建议，让您的产品从设计之初就赢在起跑线上。

• 型号:STD2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。