STD2NK90ZT4

当您的电源设计需要面对严苛的高压环境，同时又要兼顾紧凑的布局与可靠的性能，您是否在寻找一个能一锤定音的解决方案？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍STD2NK90ZT4，这颗来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，正是为挑战极限而生。它不仅仅是一个元器件，更是您提升产品能效、简化设计流程、赢得市场竞争的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，一颗能够承受高达900V电压冲击的“心脏”是何等重要。STD2NK90ZT4凭借其卓越的900V漏源电压额定值，为您构建起一道坚固的安全防线，让您的设备在电网波动或复杂工况下依然稳定如山。其采用的SuperMESH技术，更是将高性能与低损耗的艺术发挥到极致，导通电阻低至6.5欧姆，意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率，直接转化为您产品的续航优势与成本节约。

这颗芯片的价值，在每一个具体的应用场景中都闪闪发光。无论是服务器电源、工业变频器，还是新能源领域的充电模块，STD2NK90ZT4都能轻松胜任。其2.1A的连续漏极电流能力和高达70W的功率耗散，确保了在持续高负载下的稳定输出。表面贴装的DPAK封装，不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的制造效率。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让它无惧严寒酷暑，适应从工业到消费电子的各种苛刻环境。

选择STD2NK90ZT4，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺与前瞻技术。它不仅仅满足了您对高压、高效、高可靠性的所有基础需求，其优化的栅极电荷和输入电容特性，更能让您的驱动电路设计更为简洁，开关速度更快，系统整体性能再上一个台阶。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，请认准官方授权的ST代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STD2NK90ZT4成为您下一个明星产品的强大引擎，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STD2NK90ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD2NK90ZT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。