STD36P4LLF6

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流、又具备出色开关性能的P沟道MOSFET而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STD36P4LLF6，这颗来自意法半导体STripFET F6系列的明星产品，正是为打破性能与效率的边界而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统可靠性、简化设计并赢得市场竞争力的关键引擎。

想象一下，在您的电机驱动、电源转换或负载开关应用中，STD36P4LLF6能够轻松驾驭高达36A的连续电流，其低至20.5毫欧的导通电阻（RDS(on)）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更长的设备运行时间、更低的温升以及更小巧的散热设计。无论是紧凑型电动工具需要瞬间爆发的扭矩，还是服务器电源要求极高的转换效率，亦或是电池保护电路对功耗的锱铢必较，它都能游刃有余地担当起能量控制枢纽的重任。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关动作，显著降低了开关损耗，让您的系统在全负载范围内都保持高效与冷静。

选择STD36P4LLF6，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其坚固的DPAK封装和高达175°C的结温工作能力，赋予了产品卓越的耐用性和环境适应性。这意味着您的设计能够应对更严苛的工况，减少现场故障率，从而赢得终端用户的长久信赖。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得100%原装正品的芯片供应，还能得到从选型支持到技术咨询的全方位服务，确保这颗高性能芯片的价值在您的产品中得到完美释放。立即将STD36P4LLF6纳入您的设计蓝图，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STD36P4LLF6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 36A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20.5 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD36P4LLF6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。