STD55N4F5

当您需要为下一个电源转换或电机驱动项目寻找一颗既能承受大电流又具备出色效率的功率开关时，是否曾为如何在性能与成本之间找到完美平衡点而困扰？答案或许就藏在STD55N4F5这颗经典的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、实现设计精简的强大引擎。

源自意法半导体备受赞誉的STripFET V技术，这颗芯片在40V的电压平台上，能够持续承载高达55A的电流。其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动电压下，仅8.5毫欧的Rds(on)值，意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被有效传递到负载端，直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率。无论是面对严苛的工业环境还是追求紧凑的消费电子设计，其宽达-55°C至175°C的结温工作范围，都提供了令人安心的可靠性保障。

想象一下，在同步整流DC-DC转换器中，它能够以极快的开关速度和高效率处理能量流；在电动工具或小型伺服电机的H桥驱动电路中，它强健的55A电流能力让电机启停更加有力、响应更为迅猛；即便在汽车辅助系统或LED大灯驱动等对空间和散热要求极高的场景，其DPAK封装也能轻松融入板卡布局，将60W的功率耗散能力稳定发挥。它的价值在于，用一颗芯片的卓越性能，简化了您原本可能需要复杂散热或并联设计才能实现的功率路径。

选择STD55N4F5，就是选择了一份经过市场验证的稳健与高效。虽然其零件状态已标注为停产，但在许多成熟、高可靠性的设计方案及存量产品维护中，它依然是无可替代的优选。其优异的性价比和稳定的性能参数，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有一个坚实而高效的“心脏”。当您需要获取这颗经典器件或进行相关技术咨询时，可以信赖专业的ST代理，他们能为您提供可靠的供应链支持与深入的产品应用知识，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

• 型号:STD55N4F5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD55N4F5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。