STD9NM60N

在追求更高能效与更紧凑设计的电源方案时，工程师们是否常常面临功率密度与散热性能难以兼得的挑战？今天，我们为您带来一个突破性的解决方案STD9NM60N。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道MOSFET，凭借其卓越的MDmesh II技术，将600V的耐压能力与仅为745毫欧的超低导通电阻完美结合，让您在高压应用中也能实现极低的传导损耗，瞬间提升整体系统的能源转换效率。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器设计中，STD9NM60N能够稳定承载高达6.5A的连续电流，并在高达150°C的结温下可靠工作。这意味着它不仅能轻松应对工业变频器、UPS不间断电源等严苛环境下的峰值功率需求，更能为家用电器中的PFC（功率因数校正）电路和适配器注入强劲而稳定的动力。其DPAK封装形式，兼顾了优异的散热性能与PCB空间利用率，让您的产品在性能与体积上获得双重优势。

选择STD9NM60N，就是选择了一份经得起验证的品质与性能保障。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键一环。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）显著降低了开关损耗，让高频开关应用运行得更快、更凉、更安静。无论您是设计新一代的服务器电源，还是升级现有的电动工具驱动板，它都能让您的设计脱颖而出。如需获取官方正品与技术支援，请务必通过授权的ST代理进行采购，确保产品链的可靠与设计的万无一失。

• 型号:STD9NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:745 毫欧 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD9NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。