STF10LN80K5

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，您是否在寻找一款能同时兼顾高性能与成本效益的解决方案？答案或许就藏在STF10LN80K5这颗强大的功率开关器件中。作为意法半导体MDmesh系列的代表作，它不仅仅是一个MOSFET，更是您提升系统能效、简化设计复杂度的得力伙伴。其800V的卓越耐压能力和8A的连续电流承载，为您的设计构筑了坚实的安全边际，让您在应对电压尖峰和负载波动时，拥有前所未有的从容与自信。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、高功率LED照明或是电动汽车充电桩的核心电路中，STF10LN80K5正以其低至630毫欧的导通电阻，将开关损耗降至新低，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。这意味着您的终端产品不仅能满足严苛的能效标准，更能凭借出色的热表现赢得更长的使用寿命和更高的市场口碑。其优化的栅极电荷设计，确保了快速、干净的开关动作，让您的电源拓扑工作在最佳状态，无论是硬开关还是软开关应用，都能游刃有余。

选择STF10LN80K5，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。它采用成熟的TO-220FP封装，提供了优异的散热性能和便捷的安装方式。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，使其能够轻松应对从极寒到酷热的各类严苛环境。当您通过值得信赖的ST代理渠道获取这颗芯片时，您获得的不仅是一个高性能的电子元件，更是一整套包含技术支持和供应链保障的完整解决方案。它让复杂的高压功率设计变得简单、可靠，助您将创新想法快速转化为具有市场竞争力的卓越产品。

• 型号:STF10LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:427 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。