STF10NM60ND

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STF10NM60ND。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其600V的耐压和8A的连续电流能力，天生就是为高效、可靠的功率转换而打造。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键钥匙。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动应用中，STF10NM60ND能够轻松应对高电压环境，其卓越的FDmesh II技术确保了极低的导通电阻（Rds(on)），这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，系统整体效率得以显著提升。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是家用电器中的高效电源模块，它都能提供稳定而强劲的动力核心，让您的设备运行得更冷静、更持久。

选择STF10NM60ND，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。其TO-220FP封装在保证出色散热性能的同时，也兼顾了安装的便利性。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着它能够被快速驱动，减少开关延迟，从而允许您使用更高频率的设计，进一步缩小磁性元件的体积，实现产品的小型化。我们信赖的ST代理商能够为您提供稳定可靠的货源与专业的技术支持，确保您的项目从设计到量产一路畅通。拥抱这颗高效能芯片，让它为您的下一个创新产品注入强劲而高效的灵魂。

• 型号:STF10NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:540 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF10NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。