STF12N50DM2

在追求更高能效和更可靠功率转换的今天，您的电源设计是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们为您带来一个颠覆性的解决方案STF12N50DM2。这款来自ST意法半导体的高性能N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的MDmesh DM2技术，将500V的耐压能力与仅为350毫欧的超低导通电阻完美结合，为您打开了高效能、高可靠性电源设计的新大门。它不仅是一个元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、UPS不间断电源甚至高功率LED照明驱动这些严苛的应用场景中，STF12N50DM2都能游刃有余。其11A的连续漏极电流和优化的动态特性，确保了在频繁开关状态下依然保持极低的能量损耗和温升。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更安静，寿命也得以显著延长。无论是应对工业环境中的电压波动，还是满足消费类产品对紧凑空间内高功率密度的追求，它都能提供稳定而强劲的“心脏”动力。

选择STF12N50DM2，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其TO-220FP封装不仅提供了优异的通孔安装可靠性，更利于散热管理，让25W的功率耗散能力得到充分发挥。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，让它无惧严寒酷暑，适应全球各种复杂环境。更低的栅极电荷（仅16nC）意味着驱动更轻松，开关速度更快，系统整体效率再上一个台阶。当您需要可靠的技术支持和供货保障时，遍布全球的ST代理网络将是您坚实的后盾。立即将STF12N50DM2纳入您的设计，亲身体验它如何以卓越性能，为您的下一个明星产品注入强大动能。

• 型号:STF12N50DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:350 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:628 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF12N50DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。