STF18NM60N

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够将600V高压与13A电流从容驾驭，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，能为您的产品带来怎样的性能飞跃与成本优化？答案就在STF18NM60N之中。

这款出自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，绝非普通的开关管。它采用了先进的超结技术，专为高效、高可靠性应用而生。其285毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下，电流流过时产生的热量被大幅削减，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。当您将它应用于开关电源、电机驱动或照明镇流器时，它能显著降低功率损耗，让您的设备运行得更“冷静”，寿命更长久。无论是工业变频器、UPS不同断电源，还是电瓶车充电器，STF18NM60N都能以其坚实的600V耐压和13A的连续电流处理能力，成为电路中值得信赖的“能量守门员”。

选择STF18NM60N，就是选择了一份从容与高效。它的驱动门槛设计合理，栅极电荷（Qg）仅为35nC，这使得它易于驱动，能够实现更快的开关速度，从而减少开关过程中的能量损失，进一步提升整体能效。TO-220FP封装提供了优异的散热性能和便捷的安装方式，让工程师在紧凑的空间内也能游刃有余地进行布局。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，确保了它在各种严苛环境下都能稳定工作，赋予产品强大的环境适应力。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，STF18NM60N提供了一个经过市场验证的卓越选择。我们作为专业的ST芯片代理，不仅提供这颗优质芯片，更能为您带来全面的技术支持和供应链保障，助您将产品优势快速转化为市场竞争力。

• 型号:STF18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF18NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。