STF8NK100Z

当您的电源设计面临高压、高温的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能扛住1000V冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族的明星产品STF8NK100Z，这颗专为高压环境而生的N沟道MOSFET，将彻底改变您对功率器件可靠性的认知。它不仅仅是一个组件，更是您系统坚固耐用的基石，让您在激烈的市场竞争中，凭借卓越的电源性能脱颖而出。

想象一下，在工业电机驱动、开关电源(SMPS)、照明镇流器或是不间断电源(UPS)这些核心应用中，稳定的高压切换能力就是生命线。STF8NK100Z凭借其高达1000V的漏源击穿电压和6.5A的连续漏极电流，游刃有余地应对各种浪涌和尖峰电压，确保系统在复杂电网环境下依然稳如磐石。其卓越的SuperMESH技术，实现了更低的导通电阻和更优的开关特性，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接为您节省能源成本，提升产品能效等级。

为什么越来越多的工程师在高压项目中坚定地选择它？因为价值显而易见。在高达150°C的结温下仍能稳定工作，赋予了它无与伦比的环境适应性和长期可靠性，大幅降低了因过热导致的故障风险。TO-220FP封装不仅提供了出色的散热性能，也兼容广泛的标准安装工艺。选择STF8NK100Z，就是选择了一份经得起时间考验的保障。为了让您更便捷地获得这颗高性能芯片，我们推荐您通过官方授权的ST代理商进行采购，确保产品原装正品和完整的技术支持。立即行动，让STF8NK100Z为您的下一个高压设计注入强大而可靠的动力，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STF8NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 6.5A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.85 欧姆 @ 3.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:102 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF8NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。