STI20N60M2-EP

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关核心？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh M2-EP系列中的明星产品STI20N60M2-EP。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是工程师应对严苛功率转换任务的信心之选。其600V的漏源电压和13A的连续漏极电流能力，为您构建坚固的电力防线，而MDmesh M2-EP技术带来的超低导通电阻，意味着更少的热量产生和更高的能源利用效率，直接为您的终端产品注入持久续航与稳定运行的基因。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明和充电桩等关键应用中，每一次开关动作都关乎系统整体表现。STI20N60M2-EP正是为此类场景而生。其优异的动态特性，如较低的栅极电荷和输入电容，确保了快速、干净的开关切换，能有效减少开关损耗和电磁干扰，让您的电源模块即使在频繁启停或负载突变时也能保持波澜不惊。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，配合TO-220封装出色的散热能力，赋予了它无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷热，都能稳定输出110W的强大功率处理能力。

选择STI20N60M2-EP，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它代表了意法半导体在功率器件领域的深厚积淀，其“有源”的产品状态保证了长期稳定的供应与技术支援。对于追求设计最优化和供应链可靠性的您而言，通过与权威的ST代理合作，不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能获取及时的技术资料和本地化服务支持，让您的产品从研发到量产全程加速。这颗芯片将复杂的高压功率管理变得简单高效，是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

• 制造商产品型号：STI20N60M2-EP
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh M2-EP
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：278 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：21.7nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：787pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220
• STI20N60M2-EP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。