STFI26N60M2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升成为难题时，您是否在寻找一个既能扛住高压，又能保持冷静高效的解决方案？今天，我们为您带来的STFI26N60M2，正是意法半导体MDmesh家族中一颗久经考验的明星，它用600V的坚固耐压和20A的强大电流处理能力，为您的功率转换应用注入强劲而可靠的动力。即便它已进入停产序列，其卓越的性能和广泛的市场验证，依然使其成为特定高要求、长生命周期项目中的珍贵选择，通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以稳定获取这颗经典器件，为您的产品保驾护航。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至高功率LED照明驱动器中，每一次开关动作都关乎整体能效与系统寿命。STFI26N60M2凭借其N沟道设计和先进的MDmesh技术，将导通电阻（Rds(on)）在典型工作条件下控制在极低水平，这意味着更少的导通损耗和热量产生。其坚固的I2PAKFP（TO-281）通孔封装，不仅提供了优异的散热路径，确保在高达150°C的结温下稳定工作，更能轻松应对工业环境中的振动与应力挑战，让您的设备在严苛条件下依然运行如磐石。

选择STFI26N60M2，不仅仅是选择了一个高性能的MOSFET，更是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与经过时间淬炼的可靠性。对于许多正在维护或升级现有系统的工程师而言，这颗芯片意味着设计的延续性、系统的稳定性以及无需重新验证的安心。它出色的开关特性与稳健的电压耐受能力，能直接转化为您终端产品更高的功率密度、更长的使用寿命以及更低的总体运营成本。当您需要为关键应用寻找一个值得信赖的功率开关时，这颗经典的MDmesh MOSFET无疑是连接过去可靠设计与未来稳健运行之间的坚实桥梁。

• 型号:STFI26N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
• STFI26N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。