STFV3N150

在追求极致能效与可靠性的高压应用领域，您是否仍在为寻找一颗既能承受严苛电压考验，又能保持稳定高效表现的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STFV3N150。这颗源自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，以其高达1500V的漏源电压和2.5A的连续漏极电流能力，为高压环境下的设计工程师提供了坚实的信心基石。它不仅仅是一个组件，更是您系统稳定运行的守护者，其出色的电气特性和坚固的TO-220封装，意味着在复杂的工业环境中，它能持续提供您所期望的卓越性能。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)系统、高压电源转换或新能源逆变器等关键场景中，电压尖峰和热应力是常态。STFV3N150正是为此而生。其9欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下）意味着更低的传导损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。高达30W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，赋予了它强大的热管理能力，确保在长时间、高负荷运行下依然稳定可靠。这意味着您的设备可以更冷静、更持久地工作，减少因过热导致的故障风险，从而显著提升终端产品的市场竞争力与用户口碑。

选择STFV3N150，就是选择了一份经过时间淬炼的成熟与可靠。尽管其零件状态已标注为停产，但这恰恰证明了它是一款在过往众多成功项目中立下汗马功劳的经典器件，其性能与可靠性得到了市场的广泛认可。对于仍在维护或生产相关经典设计的工程师而言，它意味着设计的延续性和供应链的确定性。同时，其标准化的TO-220-3通孔封装，让您的PCB布局和组装过程变得轻松而高效，极大简化了生产流程。如果您正在为现有项目寻找这颗可靠的“心脏”，或评估其替代方案，专业的ST代理商将是您获取技术支持和库存信息的最佳伙伴。让STFV3N150以其久经考验的实力，为您的下一个高压、高效能设计注入强大动力，助您轻松跨越技术挑战，赢得市场先机。

• 型号:STFV3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220-3
• 封装/外壳:TO-220-3 全封装，隔离接片
• STFV3N150的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。