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STGB35N35LZ-1

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-262(I2PAK)
  • 技术参数:IGBT 345V 40A TO-262
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGB35N35LZ-1参数详情:

当您的下一个电源转换或电机驱动项目面临效率与可靠性的双重挑战时,您是否在寻找一个能同时兼顾高性能与设计简洁性的解决方案?今天,我们为您带来一个经过市场验证的出色选择STGB35N35LZ-1。这款来自ST意法半导体PowerMESH家族的IGBT,以其345V的集射极击穿电压和高达40A的连续集电极电流,为您的中等功率应用注入了强劲而稳定的动力核心。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力的关键一环。

想象一下,在变频空调的压缩机驱动中,需要快速、平滑地控制电机转速;在不间断电源(UPS)系统中,要求高效、低损耗地进行直流-交流转换;或者在工业焊接设备的功率模块里,必须承受频繁的开关和较高的瞬时电流。STGB35N35LZ-1正是为这些场景而生。其逻辑电平输入特性,让它可以轻松被微控制器或驱动IC直接驱动,极大地简化了您的驱动电路设计。在高达175°C的结温下依然稳定工作,确保了设备在严苛环境下的长期可靠性,让您的产品无惧挑战。

选择STGB35N35LZ-1,意味着您选择了一个经过优化的平衡点。1.7V的低饱和压降(Vce(on))在15A电流下显著降低了导通损耗,而49nC的低栅极电荷则有助于实现更快的开关速度和更低的开关损耗,整体提升系统能效。其经典的TO-262(IPAK)通孔封装,兼顾了出色的散热性能和坚固的机械结构,非常适合需要高可靠性的工业级应用。虽然该型号已处于停产状态,但通过可靠的ST中国代理渠道,您依然可以获得稳定的库存和支持,为现有产品的维护或特定项目需求提供保障。这不仅仅是一颗芯片,更是ST强大技术底蕴和供应链能力的体现,是助您项目成功落地的坚实伙伴。

  • 型号:STGB35N35LZ-1
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-262(I2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 345V 40A TO-262
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):345 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):40 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):80 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.7V @ 4.5V,15A
  • 功率 - 最大值:176 W
  • 开关能量:-
  • 输入类型:逻辑
  • 栅极电荷:49 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:1.1s/26.5s
  • 测试条件:300V,15A,5V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
  • 供应商器件封装:TO-262(I2PAK)
  • STGB35N35LZ-1的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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