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STGB3NB60SDT4

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:D2PAK
  • 技术参数:IGBT 600V 6A 70W D2PAK
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STGB3NB60SDT4参数详情:

在追求更高能效与更紧凑设计的今天,您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰?想象一下,一颗能够同时驾驭600V高压和6A电流,却将导通压降牢牢控制在1.5V以下的功率器件,将如何彻底改变您的产品性能格局。这就是STGB3NB60SDT4所带来的震撼价值它不仅仅是一个IGBT,更是意法半导体PowerMESH技术皇冠上的一颗明珠,专为那些对效率与可靠性有极致要求的应用而诞生。

无论是家用变频空调的压缩机驱动,还是工业伺服驱动器中的核心逆变单元,甚至是不断小型化的UPS不间断电源和太阳能逆变器,STGB3NB60SDT4都能游刃有余。其高达175°C的结温工作能力,赋予了系统无与伦比的热鲁棒性,让您的设备即使在严苛环境下也能稳定运行。而1.15mJ的超低关断损耗与1.7s的快速反向恢复时间,意味着更少的能量浪费和更低的电磁干扰,直接助力您的终端产品轻松满足日益严格的能效标准,在市场竞争中脱颖而出。

选择STGB3NB60SDT4,就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用经典的D2PAK(TO-263)表面贴装封装,不仅提供了优异的散热性能,也简化了PCB布局与生产流程。尽管该型号已处于停产状态,但其成熟的设计和可靠的性能记录,使其成为许多经典和长生命周期项目的理想之选。对于这类有特定需求的客户,与一家可靠的ST芯片代理合作,是确保获得正品货源和持续技术支持的关键。让这颗凝聚了ST尖端PowerMESH工艺的芯片,成为您提升产品功率密度、赢得用户信赖的坚强基石。

  • 型号:STGB3NB60SDT4
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:D2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
  • 描述:IGBT 600V 6A 70W D2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):6 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm):25 A
  • 不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):1.5V @ 15V,3A
  • 功率 - 最大值:70 W
  • 开关能量:1.15mJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:18 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:125ns/3.4s
  • 测试条件:480V,3A,1 千欧,15V
  • 反向恢复时间 (trr):1.7 s
  • 工作温度:175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:D2PAK
  • STGB3NB60SDT4的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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