STGD6M65DF2

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源转换系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个集高耐压、低损耗与卓越开关性能于一身的解决方案，将如何彻底改变您的产品表现。现在，这一切已成为现实。我们隆重推出意法半导体的新一代功率器件STGD6M65DF2，它不仅仅是一颗IGBT，更是您提升系统效率、实现设计突破的强力引擎。

这颗采用先进沟槽型场截止技术的功率开关，拥有高达650V的集射极击穿电压和12A的连续集电极电流，为您的工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各类开关电源应用提供了坚实可靠的核心。其低至2V的饱和压降和仅为36J的开通能量，意味着在每一次开关动作中，都能将更多的电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。这不仅直接降低了系统的整体功耗，更让散热设计变得前所未有的轻松，帮助您打造出更小巧、更安静、运行更稳定的终端产品。

选择STGD6M65DF2，就是选择了一份从容与自信。它宽广的-55°C至175°C结温工作范围，确保了在严苛环境下依然性能如一。表面贴装的TO-252（DPak）封装，完美契合现代自动化生产的需求，在节省宝贵PCB空间的同时，也提升了制造的便捷性与可靠性。当您需要稳定、优质的货源和技术支持时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，确保您的创新之旅畅通无阻。让STGD6M65DF2成为您下一个明星产品的“动力心脏”，共同开启高效、节能的新篇章。

• 型号:STGD6M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 12A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:12 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):24 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，6A
• 功率 - 最大值:88 W
• 开关能量:36J（导通），200J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:21.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:15ns/90ns
• 测试条件:400V，6A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD6M65DF2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。