STH145N8F7-2AG

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的损耗和散热问题而烦恼？想象一下，一个能够同时驾驭高电流与低损耗的解决方案，将如何彻底改变您的产品性能。今天，我们向您隆重介绍STH145N8F7-2AG，这颗来自ST意法半导体的明星功率MOSFET，正是为破解这一难题而生。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统能效、赢得市场竞争力的强大引擎。

其卓越性能的核心，源于STripFET F7这一先进的汽车级技术平台。在80V的漏源电压下，它能持续承载高达90A的电流，而最令人惊叹的是其极低的导通电阻在45A电流、10V驱动电压下，最大值仅为4毫欧。这意味着在能量传递的路径上，由它产生的热损耗被降至前所未有的低水平，让您的系统运行得更凉爽、更持久。无论是面对严苛的汽车引擎舱环境，还是工业设备中不间断的高负荷运转，其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，都提供了坚如磐石的可靠性保障。

这样的特性，让STH145N8F7-2AG在众多关键应用中大放异彩。在新能源汽车领域，它是车载充电机(OBC)、DC-DC转换器和电机驱动器的理想心脏，高效的电能转换直接提升了车辆的续航里程。在工业自动化场景中，从伺服驱动器到大功率开关电源，它都能确保动力输出的精准与稳定。即便在要求严苛的通信基站电源或不断电系统(UPS)中，其高效率和出色的热性能也能显著提升整体系统的能源之星评级。选择它，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的双重基因。

那么，为何众多领先厂商都将STH145N8F7-2AG作为首选？答案在于它带来的综合价值远超一个普通开关器件。极低的栅极电荷（96nC @ 10V）与输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的控制系统响应更为敏捷。采用表面贴装H2PAK-2封装，不仅节省了宝贵的电路板空间，其优化的封装设计也极大地提升了散热能力，轻松应对200W的功率耗散。这意味着您可以用更小的散热器、更简洁的布局，实现更大的功率输出，从而在物料成本(BOM)和系统体积上获得双重优势。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以随时联系我们的官方ST代理商，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。拥抱STH145N8F7-2AG，就是拥抱一个更高效、更紧凑、更可靠的未来电力解决方案，让您的产品在激烈的市场中脱颖而出。

• 型号:STH145N8F7-2AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH145N8F7-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。