STI10N62K3

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为开关损耗与系统稳定性之间的平衡而困扰？当市场对电源方案的要求日益严苛，一颗能够同时驾驭高电压与高效率的MOSFET，往往成为决定产品成败的关键。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的明星成员STI10N62K3，它正是为解决此类核心挑战而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，系统需要在620V的高压下稳定运行，同时必须将导通损耗降至最低以提升整体效率。STI10N62K3凭借其先进的SuperMESH3技术，将导通电阻（RDS(on)）在10V驱动电压下控制在极低的水平，这意味着在相同的电流下，芯片自身产生的热量更少，电能转换更为直接高效。这不仅让您的终端产品运行更凉爽、寿命更长，更能帮助您轻松满足日益严格的能效标准，在市场竞争中赢得宝贵的绿色优势。

它的价值远不止于参数表上的数字。高达8.4A的连续漏极电流承载能力和125W的功率耗散能力，赋予了它应对瞬时功率冲击的强悍体魄，确保系统在复杂工况下的坚如磐石。而优化的栅极电荷设计，则显著降低了开关过程中的损耗，使得高频开关应用成为可能，让您的电源设计可以朝着更小体积、更高功率密度的方向迈进。无论是升级现有产品线，还是开发面向未来的创新方案，选择它，就是选择了一份经过市场验证的可靠与高效。我们作为专业的ST授权代理，不仅为您提供原装正品保障，更能提供深度的技术支持和选型指导，助您将这颗芯片的卓越性能转化为产品的核心竞争力。

因此，当您下一次为寻找那颗能在高压、高效与高可靠之间取得完美平衡的功率开关而斟酌时，STI10N62K3无疑是一个值得您重点关注的卓越选择。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建稳定、高效、耐用电力系统的强大基石，让您的产品设计脱颖而出，赢得市场的持久信赖。

• 型号:STI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI10N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。