STI35N65M5

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“心脏”？STI35N65M5正是为此而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh V系列技术的杰出代表，专为那些对性能有极致要求的应用场景而打造。想象一下，在650V的高压环境下，它依然能保持高达27A的连续电流处理能力，并将导通电阻控制在极低的98毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为系统整体效率的显著提升和运行温度的降低。

这颗芯片的强大实力，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高功率照明镇流器等关键领域展现得淋漓尽致。在这些要求严苛的应用中，稳定性和能效就是生命线。STI35N65M5凭借其优化的栅极电荷（仅83nC）和输入电容，实现了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的电源模块或驱动电路响应更迅捷，运行更安静、更凉爽。其坚固的I2PAK通孔封装和高达150°C的结温工作能力，更是为长期稳定运行提供了坚实的物理保障，无惧恶劣环境挑战。

选择STI35N65M5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺与经过市场验证的技术方案。尽管其已处于停产状态，但通过可靠的ST代理商渠道，您依然可以获得高品质的原装产品，用于现有设计的维护或特定批次的生产。它代表了一个时代的高性能标准，其低导通电阻、高开关效率与卓越的散热能力相结合，为您带来的不仅是单个元件性能的提升，更是整个系统在可靠性、能效比和总拥有成本上的全面优化。让这颗凝聚了MDmesh V智慧的动力核心，成为您经典设计中值得信赖的基石。

• 型号:STI35N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 27A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:98 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3750 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI35N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。