STL18N60M2

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为功率密度与热管理的平衡而烦恼？想象一下，一颗能够同时驾驭600V高压与9A电流，却拥有极低导通损耗的功率开关，将为您的产品带来怎样的性能飞跃？这正是STL18N60M2诞生的意义。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体MDmesh II Plus技术家族的杰出代表，专为应对苛刻的高压开关应用而精心打造。

当我们将目光投向现实应用，这颗芯片的价值便清晰可见。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断小型化的LED照明驱动和适配器，STL18N60M2都能游刃有余。其核心优势在于，在高达600V的漏源电压下，实现了仅308毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同电流下，芯片自身的功耗显著降低，发热更少。更低的损耗直接转化为更高的系统效率，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出，同时，减少的热量也简化了散热设计，为产品的小型化与轻量化铺平了道路。

为何众多工程师在高压开关应用中信赖并选择它？答案藏在细节之中。首先，其优化的栅极电荷（Qg）特性，确保了快速、干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，还降低了电磁干扰（EMI），让系统运行更稳定、更安静。其次，PowerFlat HV封装在提供出色散热性能的同时，大幅节省了PCB板空间，非常适合高密度布局。最后，高达150°C的结温（TJ）工作能力，赋予了它强大的鲁棒性和可靠性，即使在恶劣环境下也能稳定工作。如果您正在寻找可靠的原厂供应与技术支援，专业的ST代理将是您值得信赖的合作伙伴，为您提供从选型到量产的全方位支持。

选择STL18N60M2，就是选择了一种以性能驱动价值的解决方案。它让您无需在效率、尺寸和可靠性之间做出妥协，而是将它们完美融合，共同推向新的高度。这不仅是升级一个元器件，更是为您的整个电源系统注入强劲而高效的核心动力，助力您的产品在市场中赢得先机。

• 型号:STL18N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:308 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:791 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL18N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。