STL26NM60N

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压大电流开关器件的选择而反复权衡？当面对600V的严苛电压平台和高达19A的连续电流需求时，一颗兼具高性能与高可靠性的MOSFET，往往成为决定系统成败的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体MDmesh II系列中的明星产品STL26NM60N，它正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。

这款N沟道功率MOSFET的核心优势，在于其革命性的MDmesh II技术。这项技术通过优化单元结构和工艺，在保持超低导通电阻的同时，显著降低了栅极电荷和开关损耗。具体而言，STL26NM60N在10V驱动电压下，导通电阻低至185毫欧，而栅极电荷仅为60nC。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，它都能让您的设备在高效、凉爽的状态下稳定运行，轻松应对150°C的高结温工作环境，为系统长期可靠性保驾护航。

其应用场景广泛而深入。想象一下，在紧凑型高效率开关电源(SMPS)中，它凭借PowerFlat HV封装（8x8）的纤薄外形和卓越散热能力，帮助设计师在有限空间内实现更高的功率密度。在电机驱动电路中，其快速的开关特性和坚固性确保了精准的控制与平顺的运行。选择STL26NM60N，您选择的不仅仅是一个元器件，更是一份来自意法半导体的品质承诺和性能保障。我们信赖的ST中国代理网络，将为您提供从技术选型支持到稳定供货的全方位服务，确保您的创新想法能够快速、顺利地转化为具有市场竞争力的产品。让这颗凝聚尖端技术的芯片，成为您下一款高效能设计中最值得信赖的功率开关核心。

• 型号:STL26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A（Ta），19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125mW（Ta），3W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL26NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。