STL58N3LLH5

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色热性能的MOSFET而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STL58N3LLH5。这款来自意法半导体STripFET H5家族的N沟道功率MOSFET，以其高达64A的连续漏极电流和仅为9毫欧的超低导通电阻，重新定义了30V应用场景下的性能标杆。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低热损耗、实现紧凑设计的得力助手。

想象一下，在汽车电子领域，无论是高效的电机驱动、精准的LED照明控制，还是可靠的电源分配单元，STL58N3LLH5都能游刃有余。其符合AEC-Q101车规标准的品质，确保了在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，为您的车载应用注入澎湃且可靠的动力。在工业电源、服务器电源或高密度DC-DC转换器中，其卓越的开关特性（低至10nC的栅极电荷）能显著减少开关损耗，让您的电源设计在效率竞赛中脱颖而出。选择它，就是选择为您的产品赋予一颗强劲而高效的“心脏”。

为何众多工程师在同类产品中独钟于此？答案在于其综合价值。PowerFlat（5x6）封装不仅提供了优异的散热能力，支持高达62.5W的功率耗散，更实现了极小的占板面积，完美契合当今电子产品小型化的趋势。4.5V的低驱动电压使其易于被主流控制器驱动，简化了您的电路设计。尽管该型号已处于停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定的库存和支持，确保现有项目的延续与成功。它代表了一种经过市场验证的可靠选择，其性能参数至今在诸多应用中仍极具竞争力。投资STL58N3LLH5，意味着您选择了由意法半导体尖端STripFET H5技术背书的高性能、高可靠性，以及由此带来的终端产品市场优势。

• 型号:STL58N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):64A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:+22V，-20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），62.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL58N3LLH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。