STL60N32N3LL

在追求极致能效的今天，您的电源管理系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一个集双通道、低导通电阻与高电流处理能力于一身的解决方案，将如何彻底改变您的设计格局。现在，答案就在STL60N32N3LL。这款来自ST意法半导体STripFET家族的功率MOSFET阵列，正是为应对严苛的能效挑战而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现性能飞跃的关键引擎。

无论是服务器电源中要求高效率的同步整流环节，还是电动工具、无人机电调需要强劲爆发力的电机驱动，甚至是汽车辅助系统中对空间和可靠性都极为苛刻的负载开关应用，STL60N32N3LL都能游刃有余。其双N沟道非对称设计，为您提供了灵活的配置选项，可以同时高效处理不同功率级别的任务。表面贴装的PowerVDFN封装，在节省宝贵PCB空间的同时，其优异的散热性能确保了系统在-55°C至150°C的广阔温度范围内稳定运行，让您的产品无惧任何环境挑战。

选择STL60N32N3LL，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。其低至9.2毫欧的导通电阻（RDS(on)）和高达60A的连续漏极电流能力，意味着更低的传导损耗和更强的功率吞吐量，直接转化为更高的系统效率和更小的温升。逻辑电平门驱动特性（Vgs(th)最大仅1V）让它可以轻松被现代微控制器直接驱动，简化了您的驱动电路设计。尽管该型号已处于停产状态，但通过值得信赖的ST一级代理，您依然可以获取高质量的库存和可靠的技术支持，为您的经典产品或特定项目续写辉煌。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次面向高性能、高可靠性的价值投资。

• 型号:STL60N32N3LL
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 32A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N 沟道（双）非对称型
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A，60A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.2 毫欧 @ 6.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 1A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.6nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:950pF @ 25V
• 功率 - 最大值:23W，50W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• STL60N32N3LL的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。