STL75N3LLZH5

想象一下，您的下一代电源设计，能否在更小的空间内承载更大的电流，同时将开关损耗再降低一个量级？这正是STL75N3LLZH5为您带来的核心价值。作为意法半导体STripFET V家族的杰出代表，这颗N沟道功率MOSFET以其卓越的30V耐压和高达75A的连续漏极电流能力，重新定义了高效率功率转换的边界。它不仅仅是一个开关器件，更是您实现系统性能飞跃、打造差异化产品的关键引擎。

无论是服务器和数据中心里要求严苛的DC-DC转换器，还是新能源汽车中迅猛发展的车载充电机(OBC)和电机驱动辅助电源，亦或是工业自动化设备中需要高可靠性的负载开关，STL75N3LLZH5都能游刃有余。其极低的导通电阻（典型值仅数毫欧级别）意味着在传导过程中产生的热量微乎其微，直接提升了系统的整体能效和可靠性。而PowerFlat（5x6）的超紧凑封装，完美契合了当今电子产品小型化、高功率密度的主流趋势，让您在寸土寸金的PCB上也能布局强大的功率核心。

选择STL75N3LLZH5，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与稳定品质。意法半导体的先进STripFET V技术，确保了器件在开关速度、栅极电荷与导通电阻之间取得了绝佳平衡，让您的开关电源设计不仅高效，而且响应迅速、电磁干扰更低。尽管该型号已进入停产状态，但通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获得稳定的库存支持与专业的技术服务，为现有产品的持续生产或升级换代提供坚实保障。这不仅仅是一次元器件选型，更是一次为您的产品注入强劲动力与持久竞争力的战略决策。

• 型号:STL75N3LLZH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.1 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±18V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL75N3LLZH5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。