STP10NM50N

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和体积时，您是否曾为寻找一颗可靠的功率开关管而烦恼？今天，我们为您带来的STP10NM50N，正是意法半导体MDmesh II系列中的一颗经典之作，它完美地平衡了性能、可靠性与经济性。这颗N沟道MOSFET拥有高达500V的漏源击穿电压和7A的连续漏极电流，意味着它能在严苛的工业环境中游刃有余，将高压带来的风险稳稳掌控。其核心价值在于，它不仅仅是一个开关，更是您系统高效、稳定运行的基石。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，这颗芯片能够以极低的导通损耗（Rds(on)典型值仅630毫欧）快速切换，将电能高效转化，直接帮助您的设备减少发热，提升整体能效。在照明领域，无论是LED驱动还是HID镇流器，其快速开关特性和高耐压能力确保了光线输出的稳定与纯净。而对于电机驱动、不间断电源（UPS）或电焊机等需要处理大功率脉冲的应用，STP10NM50N强健的TO-220封装和70W的功率耗散能力，让它能够从容应对瞬时冲击，保障设备长时间无故障运行。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更是让它无惧严寒酷暑，适应从室内精密设备到户外工业装置的各种场景。

选择STP10NM50N，就是选择了一份经过市场长期验证的可靠性。MDmesh II技术带来了更优的开关性能与更低的栅极电荷（Qg仅17nC），这意味着您的驱动电路可以更简单，开关速度更快，系统整体效率更高。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的工艺和庞大的市场存量，使其依然是许多经典设计升级或维护的优选，拥有极高的性价比。当您需要这颗经典芯片或相关技术支援时，可以随时联系我们的ST代理团队，获取专业的选型支持与可靠的供货渠道。让这颗久经沙场的功率器件，为您的下一个项目注入强劲而稳定的动力。

• 型号:STP10NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:630 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。