STP14NF10

在追求极致能效的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗性能卓越的功率开关器件，不仅能显著提升系统效率，更能让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。现在，答案就在眼前STP14NF10，来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是您期待已久的效率与可靠性的完美结合体。

这款采用先进STripFET II技术的MOSFET，拥有100V的漏源电压和高达15A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻。在10V驱动电压下，导通电阻最大值仅为130毫欧，这意味着在电流通过时产生的热量更少，电能转换效率更高。更低的损耗直接转化为更低的温升和更长的系统寿命，让您的设计从“够用”跃升到“卓越”。无论是工业电源、电机驱动，还是高频开关电源和DC-DC转换器，STP14NF10都能游刃有余，以其稳定的表现应对各种严苛挑战。

选择STP14NF10，就是选择了一份安心的保障。它具备高达60W的功率耗散能力，工作温度范围宽达-55°C至175°C，确保在极端环境下依然稳定运行。经典的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，请务必通过官方授权的ST中国代理进行采购，这是确保产品正宗、获得完整供应链服务的关键一步。让STP14NF10成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效、可靠的新篇章。

• 型号:STP14NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。