STP14NF12

当您的电源转换系统需要在高电压下稳定输出大电流时，是否曾为开关器件的效率和可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场长期验证的经典解决方案STP14NF12。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其120V的耐压能力和高达14A的连续漏极电流，成为了众多工程师在高压侧开关设计中的信心之选。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统整体能效、确保长期稳定运行的关键支柱。

想象一下，在开关电源、电机驱动或DC-DC转换器的核心位置，STP14NF12正以其卓越的性能默默工作。它采用先进的STripFET II技术，将导通电阻（RdsOn）控制在极低的180毫欧（@7A,10V），这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是驱动工业风扇电机，还是在通信设备的电源模块中进行高效的功率切换，它都能让能量流动更加顺畅，有效减少能源浪费，直接帮助您降低系统的运营成本和散热设计复杂度。

选择STP14NF12，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与卓越的性能价值。其TO-220封装不仅便于安装和散热，宽达-55°C至175°C的工作结温范围，更能从容应对苛刻的环境挑战。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和稳定的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具吸引力。对于寻求可靠货源和专业技术支持的客户，通过值得信赖的ST芯片代理进行采购，是确保获得正品元件和后续服务保障的明智之举。让这颗经典的功率开关管，成为您打造高效、耐用电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STP14NF12
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 14A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:460 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP14NF12的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。