STP16NF25

当您需要一款能够在高压环境下稳定工作、同时保持高效能表现的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就隐藏在STP16NF25这颗经典的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建可靠、高效电力系统的坚实基石。源自ST意法半导体备受赞誉的STripFET II产品系列，这颗芯片承载着卓越的工艺与设计理念，即便在官方产品状态已标注为停产的今天，其出色的性能参数和广泛的市场验证，依然使其成为众多工程师在特定应用或库存设计中信赖的选择。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业控制或照明镇流器等关键应用中，STP16NF25正默默发挥着核心作用。它高达250V的漏源电压（Vdss）和14A的连续漏极电流能力，为系统提供了充足的电压和电流余量，确保在严苛工况下的稳定运行。其低至235毫欧的导通电阻（RdsOn），意味着更低的导通损耗和发热，直接提升了整机效率，让您的产品在能效表现上更具竞争力。无论是应对频繁的开关动作，还是承受持续的高负载，它都能游刃有余。

选择STP16NF25，就是选择了一份经过时间考验的可靠性。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的通孔安装方式，简化了您的生产流程。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）赋予了它适应各种环境挑战的坚韧品质。对于正在维护现有产品线、寻找可靠替代方案或进行特定原型设计的您而言，这颗芯片的价值不言而喻。如需获取关于此型号的库存、替代建议或技术支持，我们的ST中国代理团队随时准备为您提供专业的服务，帮助您将这份经典的性能潜力转化为产品的实际优势。

• 型号:STP16NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:235 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。