STP16NM50N

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，工程师们是否常常面临这样的挑战：如何在高压、大电流的严苛环境中，找到一颗既能保证稳定运行，又能有效控制损耗与成本的功率开关器件？答案或许就藏在STP16NM50N这颗经典的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的得力伙伴。

源自意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，STP16NM50N天生就拥有卓越的基因。其500V的高耐压和15A的连续电流处理能力，为它构筑了坚固的性能基石，足以从容应对工业电源、电机驱动、UPS不间断电源等应用中的电压冲击和电流波动。更令人印象深刻的是，它在10V驱动电压下，导通电阻低至260毫欧，这意味着在导通状态下，电能损耗被大幅降低，更多的能量被高效地传递到负载端，直接转化为系统的整体能效提升和更低的温升。高达125W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它强大的热可靠性，即使在长时间满载运行或环境温度较高的场合，也能保持稳定，让您的设计无惧高温考验。

当我们将目光投向实际应用，STP16NM50N的价值便更加凸显。在开关电源的PFC（功率因数校正）和主开关电路中，其快速的开关特性和低栅极电荷（仅38nC）有助于减少开关损耗，提升电源频率，从而让电源产品体积更小、效率更高。在电机驱动领域，无论是变频器还是伺服驱动器，它都能提供强劲而可靠的功率输出，确保电机平稳启动、精准调速。即使面对已经“停产”的状态提示，这恰恰证明了其经过长期市场验证的成熟与可靠，库存和替代方案清晰，通过专业的ST芯片代理渠道，您依然可以高效地获取这颗经典器件，用于维护、升级或特定批量的生产，保障项目供应链的连续性与安全性。

选择STP16NM50N，就是选择了一份经过时间淬炼的信任。TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，极大简化了您的生产流程。它代表的是一种务实而高效的选型哲学：不盲目追求最新型号，而是精准选用那些在特定性能区间内已被证明最优、最具成本效益的解决方案。让STP16NM50N成为您下一个电源或功率驱动项目的核心动力单元，它将用稳定的表现和出色的能效，助您打造出更节能、更可靠、更具市场吸引力的终端产品。

• 型号:STP16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。