STP25N10F7

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗、散热难题和系统稳定性而困扰？现在，一个卓越的解决方案已经到来STP25N10F7，这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，正是为攻克这些挑战而生。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升产品性能、降低综合成本、赢得市场竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的电机驱动系统中，每一次快速精准的启停都意味着能量的高效转换与更长的运行寿命。STP25N10F7凭借其100V的漏源电压和高达25A的连续漏极电流承载能力，为电机控制提供了充沛而稳定的动力源泉。其核心搭载的STripFET VII技术与DeepGATE结构，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下显著降低至仅35毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生。无论是工业自动化中的伺服驱动器，还是消费电子中的高效电源适配器，甚至是不断发展的汽车辅助系统，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定运行，让您的设计从容应对各种环境挑战。

选择STP25N10F7，就是选择了一份经得起验证的卓越与安心。其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关速度更快，开关损耗大幅降低，这对于高频开关应用至关重要，能直接提升整体系统效率。经典的TO-220封装不仅提供了优异的散热路径，支持高达50W的功率耗散，也便于安装和生产，降低了您的工艺复杂度。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能确保获得原装正品，保障供应链安全与产品质量的一致性，还能获得专业的技术支持与可靠的供货保障。让这颗集高性能、高可靠性于一体的功率开关，成为您下一个成功产品的坚实基石，驱动创新，赋能未来。

• 型号:STP25N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。