STP25NM50N

当您需要在高功率应用中实现高效能与可靠性的完美平衡时，是否曾为寻找一颗“心脏”强劲又持久的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STP25NM50N，正是这样一款源自ST意法半导体MDmesh家族的经典N沟道功率MOSFET，它以其500V的高耐压和22A的连续电流能力，为您的高要求设计注入澎湃动力。这颗芯片虽然已进入停产状态，但其卓越的性能和久经市场考验的可靠性，使其在特定应用和库存替换市场中依然闪耀着不可替代的价值。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)系统或是高效开关电源(SMPS)的核心电路中，稳定与效率是生命线。STP25NM50N正是为此而生。它采用先进的MDmesh技术，在10V驱动电压下，导通电阻低至140毫欧，这意味着更低的导通损耗和更少的热量产生，直接提升了系统的整体能效和散热管理能力。高达160W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保它即使在严苛的环境下也能稳定运行，让您的设备从容应对挑战。

选择STP25NM50N，就是选择了一份经过验证的安心。其经典的TO-220AB通孔封装，不仅便于安装和散热，也意味着它与众多现有设计和散热方案拥有出色的兼容性。对于正在维护或升级现有系统的工程师而言，这颗芯片是确保性能延续和系统稳定的理想之选。如果您正在寻找可靠的库存或替代方案，专业的ST芯片代理将是您获取这颗经典器件、获得技术支持的坚实后盾。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品功率密度、增强系统鲁棒性、并最终赢得市场信赖的关键伙伴。

• 型号:STP25NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2565 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP25NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。