STP28NM50N

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理高压大电流时，一个微小的导通电阻差异，就可能直接转化为巨大的能量损耗和散热挑战。今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP28NM50N，这颗来自ST意法半导体MDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，正是为攻克这些难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，STP28NM50N能够轻松驾驭高达500V的电压和21A的连续电流。其核心秘密在于先进的MDmesh II技术，这项技术显著优化了单元结构，将导通电阻（RDS(on)）在10.5A、10V条件下控制在仅158毫欧的超低水平。这意味着更少的导通损耗，更高的整体效率，以及更低的温升。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了极快的开关速度，让您的系统响应更迅捷，在高频应用中游刃有余。无论是工业自动化设备中驱动电机，还是数据中心服务器电源进行高效能量转换，它都能提供稳定而强劲的动力支持。

选择STP28NM50N，就是选择了一份从容与安心。其坚固的TO-220AB封装和高达150W的功率耗散能力，赋予了它卓越的散热性能和物理可靠性，确保在严苛环境下长期稳定运行。结温高达150°C，为您预留了充足的设计余量。当您致力于打造更节能、更紧凑、更耐用的下一代产品时，这颗芯片就是您值得信赖的伙伴。如需获取样品、技术资料或采购支持，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时准备为您提供全方位的服务，助力您的创意迅速转化为市场领先的产品。

• 型号:STP28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28NM50N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。