STP2NK100Z

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？想象一下，一颗能够轻松应对1000V高压环境，同时将导通损耗降至极致的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计格局？今天，我们为您带来的正是这样一款划时代的解决方案STP2NK100Z。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术皇冠上的一颗明珠，专为那些对电压耐受能力和开关效率有着严苛要求的应用而诞生。

无论是工业级开关电源、功率因数校正（PFC）电路，还是电机驱动、照明镇流器，STP2NK100Z都能游刃有余。其高达1000V的漏源击穿电压，为您构筑了坚实的安全屏障，让系统在高压浪涌面前稳如泰山。而1.85A的连续漏极电流承载能力，结合其卓越的导热封装，确保了在持续高负荷工作下的长期稳定性。这意味着，您的产品可以在更恶劣的电气环境中稳定运行，寿命和可靠性得到质的飞跃。

选择STP2NK100Z，就是选择了一份从容与高效。其核心魅力在于SuperMESH技术带来的超低导通电阻（Rds(on)），在10V驱动电压下，仅为8.5欧姆。更低的导通电阻直接转化为更少的热量产生和更高的能源转换效率，让您的设备运行更凉爽，电费账单更友好。同时，极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，开关损耗显著降低，特别适合高频开关应用，让整体系统性能再上一个台阶。

这颗芯片的易用性同样出色。标准的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装方式，极大简化了您的PCB设计和生产流程。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，赋予了它适应全球各种气候环境的强大韧性。当您通过值得信赖的ST代理渠道获取它时，您获得的不仅是一颗高性能芯片，更是来自意法半导体的全球技术支持和质量保证。立即将STP2NK100Z融入您的下一个设计，亲身体验它如何以稳定的性能和卓越的效率，为您的产品注入强大的市场竞争力。

• 型号:STP2NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:499 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。