STP315N10F7

在追求极致效率与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流，又能保持超低损耗的功率开关而反复权衡？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍STP315N10F7，这颗来自意法半导体Automotive系列的王牌N沟道MOSFET，它不仅仅是一个组件，更是您系统性能飞跃的强劲引擎。其惊人的180A连续漏极电流承载能力和低至2.7毫欧的导通电阻，意味着在相同的功率等级下，它能将更多的能量用于驱动负载，而非转化为令人头疼的热损耗，直接为您带来更高的能效和更小的散热设计压力。

想象一下，在电动汽车的电机驱动器中，每一次精准的加速与能量回收；在工业伺服系统里，电机瞬间启停的迅捷与稳定；或是在高密度服务器电源模块内，为关键计算核心提供纯净而澎湃的电力。这些严苛的应用场景，正是STP315N10F7大展身手的舞台。它采用先进的STripFET VII技术和DeepGATE结构，专为应对高频开关和高温环境下的挑战而生，确保在-55°C至175°C的广阔结温范围内性能始终如一。其高达315W的功率耗散能力，配合TO-220经典封装，让系统设计在功率密度与可靠性之间找到了完美平衡点。

选择STP315N10F7，就是选择了一份由顶尖工艺与严格标准背书的信心。它符合汽车级AEC-Q101认证，这代表了其对振动、温度冲击和长期可靠性的极致追求，不仅适用于前沿的汽车电子，也同样能为您的工业与通信设备注入“车规级”的耐久基因。更低的栅极电荷（Qg）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体效率再上新台阶。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能猛兽，专业的ST中国代理将为您提供从选型支持到稳定供应的全方位服务。让STP315N10F7成为您下一个明星产品的核心动力，共同开启高效、可靠的电能转换新纪元。

• 型号:STP315N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP315N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。