STP50NF25

在追求极致效率的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP50NF25。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达250V的漏源电压和45A的连续漏极电流能力，重新定义了中高功率应用的性能标杆。它不仅仅是一个开关，更是您系统实现高效、稳定、持久运行的强大心脏。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，STP50NF25能够轻松应对PFC（功率因数校正）和DC-DC转换级的关键任务。其卓越的STripFET技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的69毫欧，这意味着更少的导通损耗和更低的发热量，直接转化为更高的整体能效和更小的散热器需求。无论是工业电机驱动、不间断电源（UPS），还是高要求的音频放大器，它都能提供干净利落的开关动作和强大的电流处理能力，确保您的产品在严苛环境下依然表现稳定。

选择STP50NF25，就是选择了一份经得起考验的可靠保障。其坚固的TO-220AB封装，能够有效耗散高达160W的功率，配合宽达-55°C至150°C的工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性和长寿命。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为简单高效，进一步降低了系统的复杂度和成本。当您需要可靠的原厂品质和及时的技术支持时，选择一家资深的ST芯片代理合作伙伴至关重要，他们将确保您从样品到批量生产一路畅通。立即将STP50NF25纳入您的设计，体验它如何以卓越性能，为您的产品注入强劲动力与市场竞争力。

• 型号:STP50NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 45A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:69 毫欧 @ 22A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50NF25的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。