STW4N150

在追求极致能效与可靠性的高功率应用领域，您是否正在为寻找一颗既能承受超高电压冲击，又能保持稳定高效表现的功率开关器件而困扰？现在，答案已经揭晓。让我们向您隆重介绍意法半导体PowerMESH家族中的高压悍将STW4N150。这颗N沟道MOSFET以其高达1500V的漏源电压和4A的连续电流能力，重新定义了高压环境的性能标准，为您的高要求设计注入前所未有的信心与动力。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器或电焊机这些严苛的应用场景中，系统不仅需要处理巨大的能量，更要在电压剧烈波动时保持坚如磐石。这正是STW4N150大放异彩的舞台。其卓越的1500V Vdss确保了在高压母线下的绝对安全裕度，有效抵御浪涌冲击，让您的系统核心固若金汤。同时，高达160W的功率耗散能力（Tc）和150°C的结温，意味着它能在持续高负荷运行中保持冷静，极大提升了整机的长期可靠性，减少维护烦恼。

选择STW4N150，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用了意法半导体引以为傲的PowerMESH技术，在10V驱动电压下实现了优异的导通特性。这不仅意味着更低的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更少的发热，更低的栅极电荷（Qg最大值50nC）也简化了驱动电路设计，让开关过程更快、更干净，从而减少开关损耗，提升整体能效。其经典的TO-247-3封装提供了出色的散热性能和机械强度，便于安装与散热管理。如果您正在规划或升级您的高压功率方案，与专业的ST芯片代理合作，获取关于STW4N150的详细技术支持与供应保障，无疑是迈向成功最稳健的一步。让这颗高压明星芯片，成为您产品在激烈市场中脱颖而出的关键引擎。

• 型号:STW4N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW4N150的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。