STP5NK100Z

当您需要一款能够从容应对严苛高压环境的功率开关时，什么样的解决方案才能让您彻底安心？答案就蕴藏在STP5NK100Z之中。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其高达1000V的漏源电压和SuperMESH3技术的加持，为您带来前所未有的高耐压与高效率体验。它不仅仅是一个元器件，更是您构建稳定、可靠电源系统的坚实基石，让每一次开关都精准而有力。

想象一下，在工业电源、UPS不间断电源、电机驱动乃至照明镇流器的核心电路中，电压尖峰和恶劣工况是常态。STP5NK100Z正是为此而生。其卓越的1000V耐压能力，提供了充足的安全裕度，有效抵御浪涌冲击，确保系统在复杂电网环境下依然稳定运行。同时，3.7欧姆的低导通电阻（在1.75A，10V条件下）意味着更低的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体能效，帮助您的终端产品在市场中脱颖而出，赢得节能环保的美誉。

选择STP5NK100Z，就是选择了一份经得起考验的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，适应各种应用环境。经典的TO-220AB封装不仅成熟可靠，便于安装和散热管理，还能与广泛的设计兼容。无论您是升级现有方案还是开启全新设计，它都能无缝融入，大幅缩短开发周期。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，专业的ST代理商将是您获取正品芯片和获取技术支持的得力伙伴。让STP5NK100Z成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效节能的新篇章。

• 型号:STP5NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。