STP5NK90Z

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当900V的严苛电压环境遇上频繁的开关动作，普通的MOSFET往往力不从心，导致系统效率低下、发热严重甚至提前失效。现在，这一切都将被重新定义。我们隆重向您介绍意法半导体SuperMESH家族的明星产品STP5NK90Z，它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您构建坚固、高效高压系统的基石。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，一颗能够从容应对900V漏源电压的功率开关是何等重要。STP5NK90Z正是为此而生。它采用先进的SuperMESH技术，在保持极低导通电阻的同时，显著降低了栅极电荷和内部电容。这意味着在频繁的开关过程中，它的开关损耗更低，发热更少，系统整体效率得以大幅提升。无论是工业级变频器中的核心开关，还是UPS不间断电源中的关键功率转换节点，它都能提供稳定、持久的性能输出，让您的产品在激烈的市场竞争中凭借卓越的能效脱颖而出。

选择STP5NK90Z，就是选择了一份安心与远见。其高达125W的功率耗散能力（Tc条件下）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了它在各种恶劣环境下都能稳定工作，大大延长了终端产品的使用寿命。经典的TO-220AB封装不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证，可靠性毋庸置疑。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证使其成为特定存量项目或对可靠性有极致要求设计的经典之选。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师，通过值得信赖的ST中国代理渠道，您依然可以获取高质量的解决方案与库存信息，为您的经典设计保驾护航。

在高压应用的世界里，细节决定成败，而核心器件的选择更是战略性的决策。STP5NK90Z以其900V/4.5A的强悍规格和SuperMESH技术带来的高效表现，为您扫清设计障碍，将更高的功率密度、更优的温升控制和更长的使用寿命融入您的产品基因。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、赢得客户信赖的强大武器。立即深入了解这款经典高压MOSFET，让它为您的下一个电源或驱动项目注入澎湃而可靠的动力。

• 型号:STP5NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 2.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1160 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。