STP62NS04Z

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热瓶颈和系统可靠性而烦恼？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP62NS04Z。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的性能参数，正重新定义中低压、大电流应用的标准。想象一下，在您的下一个电源设计或电机驱动项目中，开关速度更快、温升更低、整体能效显著提升，这一切都将因这颗芯片而成为现实。

无论是高效能的DC-DC转换器、服务器电源，还是要求严苛的电动工具、汽车辅助系统，STP62NS04Z都能游刃有余。它高达62A的连续漏极电流和仅15毫欧的超低导通电阻，意味着在驱动大功率负载时，自身的功耗被压至极低水平，从而将更多电能转化为有效输出，而非令人头疼的热量。其TO-220AB封装不仅成熟可靠，更便于散热设计，让您的产品在-55°C至175°C的宽广温度范围内稳定运行，无惧严苛环境挑战。

选择STP62NS04Z，就是选择了一份由顶尖工艺带来的性能保障。其采用的MESH OVERLAY技术，在单位面积内实现了更优的导通特性与开关特性平衡。10V驱动电压下仅47nC的栅极电荷，确保了极快的开关速度和极低的驱动损耗，这对于提升开关频率、减小无源器件体积至关重要。当您需要可靠的原厂正品与及时的技术支持时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让这颗高效能引擎，为您的创新产品注入澎湃而可靠的动力，在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STP62NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 62A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP62NS04Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。