STP8N120K5

在追求更高能效与更可靠功率转换的今天，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭1200V高压，同时将导通损耗降至新低的功率器件，将如何彻底改变您的电源设计。现在，这一切已不再是想象。STP8N120K5正是为此而生，它承载着意法半导体先进的MDmesh K5技术，以卓越的性能重新定义高压MOSFET的标准，为您的产品注入强劲而高效的核心动力。

这颗芯片的强大，首先体现在其惊人的1200V漏源电压耐受能力上，这使其成为工业电源、UPS不间断电源、电机驱动以及太阳能逆变器等高压环境的理想选择。无论是面对电网波动还是复杂的负载变化，它都能提供坚如磐石的稳定性，确保系统长期可靠运行。而其仅2欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着在导通状态下，电能损耗被大幅削减，更多的能量被有效传递，直接转化为更高的整体系统效率与更低的运营成本。更低的损耗也带来了更少的发热，让您的散热设计更加从容，系统结构更为紧凑。

选择STP8N120K5，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。它不仅仅是一个参数出色的组件，更是意法半导体对创新与可靠性不懈追求的结晶。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速、干净的开关动作，既能提升频率性能，又能有效减少开关噪声和电磁干扰，让您的产品轻松满足严苛的能效与安规标准。当您通过值得信赖的ST授权代理获取此产品时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，更有专业的技术支持，助您将这颗高性能芯片的潜力发挥到极致，快速赢得市场先机。

• 型号:STP8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8N120K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。