STGWA15S120DF3

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一款能够同时驾驭高功率与快速响应的核心开关器件？今天，我们为您带来意法半导体的革新力作STGWA15S120DF3。这款1200V/15A的沟槽型场截止IGBT，不仅仅是一个参数表上的数字，更是您提升系统性能、降低整体能耗、并确保长期稳定运行的关键钥匙。它集成了前沿的场截止技术与优化的封装设计，旨在将每一次开关的能量损耗降至最低，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，无论是工业电机驱动中需要承受频繁启停和负载波动的严苛环境，还是光伏逆变器里将直流高效转化为交流的精密过程，甚至是不断追求轻量化与长续航的新能源汽车电驱系统，STGWA15S120DF3都能游刃有余。其高达175°C的结温工作能力，意味着它在高温环境下依然能保持强悍的性能，大大提升了系统的环境适应性与可靠性。当您需要一颗能在复杂工况下稳定输出、经久耐用的“心脏”时，它无疑是值得信赖的选择。

选择STGWA15S120DF3，就是选择了一份由顶尖半导体技术背书的高效与安宁。其2.05V的低饱和压降与优化的开关特性（540J开启，1.38mJ关断），直接转化为更低的导通与开关损耗，帮助您的系统整体能效迈上新台阶。经典的TO-247-3封装，不仅提供了卓越的散热能力，也简化了您的PCB布局与生产流程。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，更能享受到专业的技术支持与稳定的供货服务，让您的产品开发与量产之路更加顺畅无忧。立即行动，让STGWA15S120DF3成为您下一代高性能设计的强大引擎。

• 型号:STGWA15S120DF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 1200V 30A TO-247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:30 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.05V @ 15V，15A
• 功率 - 最大值:259 W
• 开关能量:540J（导通），1.38mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:53 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/140ns
• 测试条件:600V，15A，22 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):270 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• STGWA15S120DF3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。