STP9NK60ZD

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们为您介绍一款能够显著提升系统表现的解决方案STP9NK60ZD。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的600V耐压和7A的连续电流能力，为您的高压开关应用注入强大动力。它不仅仅是另一个晶体管，更是您构建高效、耐用电力系统的坚实基石。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器中，STP9NK60ZD正在默默发挥着核心作用。它基于先进的SuperFREDmesh技术打造，这意味着更低的导通电阻（典型值仅950毫欧）和更优的开关特性。当电流流过时，更少的能量被转化为热量，让您的系统运行得更凉爽、更高效。无论是工业变频器需要应对频繁启停，还是UPS电源要求极高的可靠性，这颗芯片都能游刃有余地处理高电压大电流的切换任务，确保能量精准、快速地传递，极大延长了整个设备的使用寿命。

选择STP9NK60ZD，就是选择了一份经得起考验的品质与性能保障。其TO-220AB的经典封装形式，不仅便于安装和散热，更经过了市场的长期验证。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严苛的环境挑战。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多存量项目和特定应用中依然极具价值。对于需要可靠货源和专业技术支持的工程师，通过值得信赖的ST中国代理进行咨询与采购，是获取正品保障和获取应用指导的明智之选。让STP9NK60ZD成为您经典设计中那颗不可或缺的“心脏”，驱动您的产品持续稳定地释放能量。

• 型号:STP9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP9NK60ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。