STU4N52K3

想象一下，当您的电源转换系统需要在高压环境下保持极致的效率与稳定性时，什么样的核心器件才能承载这份重任？答案就藏在STU4N52K3这颗卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、降低系统能耗、并确保长期可靠运行的关键引擎。源自意法半导体备受赞誉的SuperMESH3技术平台，它天生就为高效能应用而生，将高压、低损耗与卓越的热管理能力融为一体，为您打开通往下一代高性能设计的大门。

这颗芯片的应用舞台极为广阔。无论是要求严苛的工业开关电源（SMPS），还是追求极致效率的LED照明驱动，亦或是需要稳定可靠功率输出的消费类电子适配器，STU4N52K3都能游刃有余。其高达525V的漏源电压和2.5A的连续电流能力，为您的设计提供了充足的安全裕量和功率处理空间。在功率因数校正（PFC）、反激式转换器等关键电路中，它能够显著降低开关损耗和导通损耗，让您的系统在整个负载范围内都保持“冷静”与高效，直接转化为更长的产品寿命和更低的运营成本。

选择STU4N52K3，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的开关频率得以实现，从而允许您使用更小、更轻的磁性元件，优化整体系统尺寸与成本。高达150°C的结温工作能力和45W的强大功率耗散，确保了其在恶劣环境下的坚固耐用。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，我们的合作伙伴资深的ST一级代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STU4N52K3，让它成为您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的制胜利器！

• 型号:STU4N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:334 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU4N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。