STULED524

在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能在525V高压下稳定工作，同时将导通电阻控制在极低水平的功率器件，将如何彻底改变您的设计格局？现在，这一切不再是想象。STULED524的到来，正是为了回应工程师对高性能与高可靠性的双重渴望。

这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其525V的卓越耐压能力和4A的连续漏极电流，天生就是为挑战严苛环境而生。无论是工业电源中的PFC电路，还是家电中的电机驱动，亦或是LED照明的高效驱动，它都能游刃有余。其2.6欧姆的低导通电阻（在10V驱动电压下）意味着更低的传导损耗，而仅12nC的低栅极电荷则确保了极快的开关速度和更低的开关损耗。这直接转化为更低的系统温升和更高的整体效率，让您的终端产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STULED524，就是选择了一份从容与安心。它宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了产品无与伦比的环境适应性，无论是严寒还是酷暑，都能稳定运行。经典的I-PAK通孔封装，不仅提供了高达45W的强大散热能力，也兼顾了生产的便利性与可靠性。当您需要可靠的原厂供应链支持时，可以通过官方授权的ST代理商获取正品保障和技术服务。这颗芯片不仅仅是一个电子元件，它是您提升产品性能、缩短开发周期、降低系统总成本的战略伙伴。让它为您的下一个设计注入强劲动力，共同开启高效、可靠的新篇章。

• 制造商产品型号：STULED524
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 525V 4A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：525V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
• STULED524的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。