STW11NK100Z

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在为高电压、大功率应用中的开关损耗与散热难题而困扰？现在，让我们向您介绍一个划时代的解决方案STW11NK100Z。这款来自ST意法半导体的SuperMESH N沟道MOSFET，以其1000V的超高耐压和仅为1.38欧姆的超低导通电阻，重新定义了高性能功率开关的标准。它不仅仅是一个元器件，更是您提升系统效率、增强产品竞争力的核心引擎。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器或高效开关电源（SMPS）等严苛的应用场景中，STW11NK100Z能够轻松驾驭高达8.3A的连续电流。其卓越的SuperMESH技术，显著降低了栅极电荷（Qg）和输出电容，这意味着更快的开关速度、更低的开关损耗以及更出色的电磁兼容性（EMI）表现。在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它都能保持稳定可靠的性能，让您的设备无惧极端环境的挑战，持续稳定运行。

选择STW11NK100Z，就是选择了一份安心与远见。其经典的TO-247-3封装提供了卓越的散热能力，结合高达230W的功率耗散，让系统散热设计更加从容。这不仅意味着更长的器件寿命和更高的系统可靠性，更能帮助您简化热管理方案，降低整体BOM成本。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，请务必联系您信赖的ST芯片代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即采用STW11NK100Z，释放您设计的全部潜能，打造出更高效、更紧凑、更具市场竞争力的下一代电力电子产品。

• 型号:STW11NK100Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 8.3A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.38 欧姆 @ 4.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:162 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW11NK100Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。