STW19NM65N

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否还在为高压、大电流应用下的开关损耗与散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案STW19NM65N。这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其650V的耐压和15.5A的连续电流能力，专为应对严苛挑战而生，是您提升产品性能与市场竞争力的得力助手。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器的核心功率电路中，每一次开关都关乎着整体系统的效率与稳定。STW19NM65N凭借其先进的MDmesh II技术平台，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关特性。这意味着更少的能量以热的形式耗散，更高的功率密度得以实现，让您的设备运行得更凉爽、更持久。其TO-247-3封装提供了优秀的散热路径，结合高达150W的功率耗散能力，确保即使在高温环境下也能稳定工作，为您的设计注入强大的可靠性基因。

选择STW19NM65N，不仅仅是选择了一颗高性能的晶体管。您将获得一个经过优化、久经考验的功率开关核心，它能显著简化您的热管理设计，降低系统整体复杂度，从而加速产品上市进程。虽然该型号目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其在特定存量市场和高可靠性要求的升级设计中依然极具价值。为确保您能获得稳定可靠的货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购咨询。让这颗经典的功率器件，继续为您的创新赋能，在激烈的市场竞争中构筑坚实的技术壁垒。

• 型号:STW19NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW19NM65N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。