STW34NM60N

当您的下一个电源设计项目面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾期待一颗能够同时驾驭高功率与低损耗的“全能型”开关器件？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体的明星产品STW34NM60N。它不仅仅是一个MOSFET，更是MDmesh II技术家族的杰出代表，专为那些对性能有极致要求的应用而生。其高达600V的漏源电压和29A的连续漏极电流能力，意味着它天生就是为处理严苛的功率转换任务而设计的，让您的系统在高压环境下依然游刃有余，稳定如山。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至高功率LED照明和电焊机等核心设备中，每一次开关动作都关乎整体系统的能效与寿命。STW34NM60N凭借其仅为105毫欧的超低导通电阻（在14.5A, 10V条件下），能显著降低导通损耗，将更多电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。这不仅直接提升了整机效率，帮助您的产品轻松满足日益严苛的能效标准，更因其优异的热性能（最大功率耗散250W）和高达150°C的结温工作能力，赋予了设备在恶劣环境下持续稳定运行的强大底气，有效延长了产品生命周期。

为何众多工程师在关键项目中持续选择它？因为STW34NM60N提供了卓越的价值平衡。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速、干净的开关行为，减少了开关损耗，同时简化了驱动电路的设计，让系统响应更迅捷。经典的TO-247-3封装提供了出色的散热路径和机械强度，便于安装和热管理。选择它，就是选择了一份由全球半导体巨头ST意法半导体提供的品质承诺与性能保障。如需获取正品保障与专业的技术支持，请务必通过官方ST授权代理进行采购。让STW34NM60N成为您下一个成功设计的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STW34NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:105 毫欧 @ 14.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2722 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。