STW68N60M6-4

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为功率转换系统的效率瓶颈而困扰？当600V高压应用场景对开关损耗和导通电阻提出严苛要求时，STW68N60M6-4的出现，正是为了打破这一僵局。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体MDmesh M6系列技术的集大成者，以其高达63A的连续漏极电流和低至41毫欧的导通电阻，为您的设计注入澎湃而高效的能量核心。想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源充电桩中，更低的损耗直接意味着更少的发热、更高的系统可靠性以及实实在在的能源节约，这正是STW68N60M6-4带来的核心价值。

无论是面对严苛的工业环境，还是需要紧凑布局的消费级高端电源，这颗芯片都能游刃有余。其TO-247-4封装不仅提供了卓越的散热能力，确保在390W的功率耗散下稳定工作，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，更能让您的驱动电路设计变得异常简洁高效，显著降低开关过程中的能量损失。这意味着，在太阳能逆变器将直流转换为交流的过程中，在电动汽车充电模块进行快速能量传输时，甚至在您家中高效节能的空调压缩机驱动板里，STW68N60M6-4都能确保能量以最顺畅、最经济的方式流动，将每一瓦特电力都用到实处。

选择STW68N60M6-4，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它源自意法半导体的尖端MDmesh M6技术平台，该平台以其超低的单位面积导通电阻（RDS(on)）和出色的开关性能而闻名。这颗芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内保持稳定性能，让您的产品能够从容应对从寒带到热带的全球市场挑战。更为重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得稳定可靠的正品货源和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持与供应链保障，让您的产品从研发到量产全程无忧。当高性能、高可靠性与优质的供应链服务相结合，STW68N60M6-4无疑是您构建下一代高效能电力电子系统的信心之选。

• 型号:STW68N60M6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW68N60M6-4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。