STW9NK70Z

在追求极致能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要在700V的高压下稳定运行，同时兼顾低损耗与快速响应，选择一颗真正强大的功率MOSFET至关重要。今天，我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH家族的明星产品STW9NK70Z，它将为您的高压应用带来前所未有的性能飞跃。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器系统中，这颗N沟道MOSFET凭借其高达700V的漏源电压耐受能力，轻松应对严苛的电压应力，为系统构筑起坚实的第一道防线。其1.2欧姆的超低导通电阻（在10V驱动电压下），意味着在传导过程中能量损耗被大幅削减，更多的电能被高效转化为有用功，直接助力您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。无论是工业级不间断电源（UPS）中需要处理大功率的PFC电路，还是高端音频功放中要求低失真的开关输出级，STW9NK70Z都能以其卓越的电气特性，确保系统运行既冷静又强劲。

为何众多工程师在面临高压、高可靠性设计挑战时，会毫不犹豫地选择它？答案在于其背后深厚的价值逻辑。首先，SuperMESH技术是其性能基石，这项专利技术优化了单元结构，在保持高击穿电压的同时，显著降低了比导通电阻，实现了效率与成本的完美平衡。其次，高达156W的功率耗散能力（壳温下）和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它卓越的热管理和环境适应性，即使在最恶劣的工况下也能稳定工作，极大延长了产品寿命并减少了维护需求。最后，TO-247-3的经典封装不仅提供了优异的散热路径，也使其易于在现有生产线进行安装与替换。如果您正在寻找一个值得信赖的长期合作伙伴，我们专业的ST芯片代理团队将为您提供从选型支持到供应链保障的全方位服务，确保这颗高性能芯片能顺利集成到您的下一个伟大设计中。

• 型号:STW9NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 7.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:68 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW9NK70Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。