VNH9013YTR

想象一下，您的下一个电机驱动项目，能否在80V高压下稳定输出40A的强大电流，同时将发热和损耗降至最低？这正是VNH9013YTR为您带来的核心价值。作为ST意法半导体旗下通过AEC-Q100车规认证的明星产品，它不仅仅是一个半桥驱动器，更是您构建高效、可靠、紧凑型电机驱动系统的坚实基石。其极低的导通电阻（典型值低至6毫欧）意味着更少的能量以热量的形式浪费，直接转化为更高的系统效率和更长的运行时间，让您的产品在性能和能效上脱颖而出。

无论是驱动工业自动化设备中的精密直流电机，还是为消费级或汽车应用中的各类感性、阻性负载提供强劲动力，VNH9013YTR都能轻松胜任。它专为严苛环境设计，工作结温高达175°C，确保了在高温、高振动等挑战下的长期稳定运行。其紧凑的36-PowerBFSOP封装，结合卷带或剪切带的灵活包装选项，完美适配现代电子设备对空间和自动化生产的高要求，让您的设计从原型到量产都畅通无阻。

选择VNH9013YTR，就是选择了一份来自世界顶级半导体制造商的品质承诺与性能保障。它集高电压、大电流、高效率与高可靠性于一身，极大地简化了您的电源管理和电机驱动设计，减少了外围元件数量，降低了整体系统成本和复杂度。当您需要这样一颗强大的车规级驱动芯片时，选择一家可靠的ST芯片代理至关重要，他们不仅能提供正品货源和具有竞争力的价格，更能为您带来专业的技术支持和高效的供应链服务，确保您的创新想法能够快速、稳妥地落地实现。让VNH9013YTR成为您产品动力核心的智慧之选，开启高效驱动的新篇章。

• 型号:VNH9013YTR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSSO-36 TP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:4 N 沟道（半桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:80V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.8 毫欧 @ 6A，10V，6 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:40nC @ 10V，45nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1750pF @ 25V，2600pF @ 25V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
• VNH9013YTR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。